ファブの現場では、温度の変動は単なる偏差というだけでなく、製品の品質を低下させる要因となります。スパッタリングチャンバーの位置が少しでもずれてしまうと、薄膜に応力が生じ、厚みに不均一性が生じます。これは直接、リソグラフィーやエッチングの工程に影響を与えます。私たちは、このような不確実性を排除するために、赤外線ヒーターを開発しました。これにより、ウェハ表面での成膜の安定性が確保されます。
当社の短波長赤外線ヒーターは、高速かつ直接的にウェハに熱を伝え、ウェハ全体の温度を±0.1℃以内に抑えます。クォーツ製の放射体とフィードバック制御により、熱のバランスがしっかりと管理され、目標とする厚みに正確に到達します。フォトレジスト処理においても、同じ赤外線ヒーターによって、プリベイク時の溶剤除去が再現可能になり、クリーンで均一なハードベイクが実現します。その結果、CDエラーの原因となる問題が減少します。
この装置は、クリーンルーム環境にも適しています。ヒーター本体はクラス1～100の環境下でも粒子を発生させず、低ガス放出型の材料を使用することで、長時間のスパッタリング処理中も汚染を防ぎます。ウェハの端でも粒子が発生しないため、不良品が減り、メンテナンスも容易になります。その結果、安定したサイクルタイム、ウェハあたりのエネルギー消費量の低減、そしてロットごとに均一な薄膜特性が得られます。
ほとんどのスパッタリングプラットフォームに簡単に設置できますが、コンパクトな設計のため、シールドや固定具周辺のスペースが狭くなります。そのため、早期に統合計画を立て、取り付けインターフェースを合わせ、光学パスのスペースを確認してからラインの切り替えを行う必要があります。一度設置すれば、システムは24時間365日安定して動作し、データシートに記載されている再現性が実際の測定結果にも表れ、ロットごとに規格内に収まります。