Riscaldatore TSV (Through Silicon Via)

Tue, 02 Jun 2026 06:22:15 +0800

Sulla linea da 300mm, l’impilamento TSV si compromette non appena l’uniformità termica inizia a deviare. Un’escursione di un solo grado Celsius durante la cottura del photoresist altera il profilo del via, e il rilascio di particelle dovuto al ciclo termico può compromettere l’intero lotto. Abbiamo sviluppato il riscaldatore TSV per eliminare questa incertezza.

Come funziona tecnicamente
Utilizziamo un elemento a infrarossi a onde corte con un’architettura termica a base di quarzo, in modo che il calore si trasferisca direttamente e rapidamente—senza punti caldi. Su tutto il wafer, l’uniformità in regime stazionario rimane entro ±0,1°C, e la ripetibilità da una cottura all’altra si mantiene a ±0,05°C. Le velocità di rampa raggiungono i 10°C/s con overshoot controllato, mantenendo intatto il budget termico sui dielettrici impilati.
I materiali della camera sono stati scelti per un outgassing ultra-basso, e il gruppo riscaldatore è compatibile con camere bianche Class 1–100. La generazione di particelle è contenuta grazie al flusso laminare e alle interfacce sigillate, mantenendo il conteggio delle particelle superficiali sotto 0,01 particelle/cm² sulla superficie di processo.

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Riscaldatore TSV (Through Silicon Via)